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德国原装进口 Gigahertz-Optik BTS2048-VL-TEC 多功能温控高速高质量 LED 光谱仪,用于 LED 闪光灯分级的测光表:
•冷却温度控制BiTec 传感器* 实现更准确的测量;
•测量时间极短(电子快门),高动态范围(滤光轮);
•触发输入和输出、以太网和 USB,用于快速数据传输;
•带有漫射器的直接输入光学器件用于照度和光谱辐照度,可通过光通量和光谱辐照度积分球进行扩展;
•波长范围/nm:280 -1050;
•光带宽:2 nm;
•入口光学器件:扩散器,余弦校正视场 (f2 ≤ 3 %);
•测量范围:10 lx 2,5 s *10,100 lx 250 ms *10,1000 lx 25 ms *10;
•评论:BTS2048-VL 包括温度控制。
1) BTS2048-VL-TEC 2) 带 Si 光电二极管的 BiTec 传感器、CCD 阵列光谱仪 3) TE 冷却 CCD
4) 带 OD1、OD2 和快门的滤光轮 5) 精密余弦漫射器 6) 光入射 7) 用于数据处理和通信的微处理器8) USB 2.0 接口
9) 高速以太网接口 10) 微处理器 CCD 传感器控制 11) 触发输入/输出 12) 微处理器光电二极管 13) 直流电源
BTS2048- VL的 BTS2048-VL-TEC 变体采用了 CCD 探测器的热电冷却。该设备满足高端二极管阵列光谱仪的所有要求,尽管其设计先进,但价格优惠。
CCD 探测器的热电冷却最大限度地减少了暗噪声信号,并使积分时间范围为 2 µs 至 60 s,而 BTS2048-VL 的积分时间则在 2 µs 至 4 s 之间。因此,BTS2048-VL-TEC 因其高稳定性而非常适合光强度极低或极少可能进行暗信号测量的应用。它也非常适合光通量测量,其中连接到设备的积分球被高功率灯显着加热。另请参阅我们有关SSL/LED 测试的技术文章。 BTS2048-VL-TEC 可以轻松连接到积分球上。 Gigahertz-Optik 提供许多积分标准球,例如完美适合LED 分档的ISD-15-BTS2048-VL。我们还提供定制解决方案来满足您的需求,请参阅我们的积分球构建套件或 基于积分球的光谱辐射计系统中的其他示例。
*其独特功能之一是 Gigahertz-Optik 开发的创新BiTec 传感器,该传感器由 V(lambda) 过滤硅光电二极管和光谱辐射计单元组成。这使得它极其线性、稳定和快速,因此保证了更高的测量精度,而且不会带来任何缺点。两个传感器都可以独立使用,并且传感器的相互校正有利于准确性、速度和多功能性(参见有关BTS 技术的文章)。
将设备直接连接至附件组件
标准S-BTS2048用户软件具有可定制的用户界面以及大量显示和功能模块,当使用 Gigahertz Optik GmbH 的相应配件配置 BTS2048-VL-TEC 时,可以激活这些模块。 S-SDK-BTS2048 开发者软件用于将 BTS2048-VL-TEC 集成到客户自己的软件中。
光度测量设备的一项基本质量特征是其精确且可追溯的校准。 BTS2048-VL-TEC 由 Gigahertz-Optik 的ISO/IEC 17025 校准实验室进行校准,该实验室根据 ISO/IEC 17025获得了 DAkkS (DK-15047-01-00) 的光谱响应度和光谱辐照度认证。校准还包括相应的附件组件。每台设备均附有各自的校准证书。
(1)基础规格 | |||
简短的介绍 | 高速 TE 冷却 CCD 光谱辐射计,具有宽动态范围,适用于辐照度/照度、光谱、发光颜色和显色指数的连续波和脉冲测量。用于测量其他参数的附件。 | ||
主要特点 | 设备紧凑。 BiTec 探测器,配备背照式 TE 冷却 CCD(2048 像素、2 nm 光学分辨率、电子快门)和带 V(lambda) 滤光片的硅光电二极管。光学带宽校正(CIE214)。带有快门和衰减滤波器的滤光轮。输入透镜带有扩散器窗口,具有余弦视场。自动 PWM 同步。 | ||
测量范围 | 光谱:0.2 lx 至 3E8 lx 280 nm 至 1050 nm(低饱和度白色 LED 的最小水平)。积分:光度测定 360 nm 至 830 nm,0.1 lx 噪声信号高达 3E8 lx。 | ||
典型应用 | 用于设计应用的 CCD 光谱辐射计。用于集成前端和后端 LED 分级测试系统的模块。 | ||
校准 | 工厂校准。可追溯至国际校准标准。 |
(2)产品规格 | |||
测量数量 | 光谱辐照度 (W/(m² nm))、辐照度 (W/m²)、照度 (lx)、光谱辐射强度 (W/(sr nm))、辐射强度 (W/sr)、发光强度 (cd)、主发光波长、峰值波长、中心波长、质心波长、x、y、u´、v´、X、Y、Z、delta uv、色温、显色指数 (CRI) Ra、R1-R15、TM-30-15 、CQS、CIE-170等。 可选积分球:另外光谱通量(W/nm)和光通量(lm) 可选测角仪:另外辐射强度(W/sr)分布和发光强度(cd)分布。 | ||
传感器 | 精度等级 B 符合 DIN 5032 和 CIE No. 69; f1`、u、f3 和 f4 精度等级 A 符合 DIN 5032 和 CIE No. 69。 | ||
输入光学器件 | 扩散器,余弦校正视场 (f2 ≤ 3 %) | 滤光轮 | 4 个位置(打开、关闭、OD1、OD2)。用于远程暗电流测量和动态范围扩展。 |
BiTec | 可以使用二极管和阵列进行并行测量,从而通过二极管对阵列进行线性校正,并分别通过a*(s z ( λ )) F*(s z ( λ ))在线校正二极管的光谱失配。 |
(3)光谱探测器 | |||
校准不确定度 | 光谱辐照度 | ||
λ | u(k=2) | ||
(280 - 304) nm: | ± 7 % | ||
(305 - 349) nm: | ± 5 % | ||
(350 - 399) nm: | ± 4.5 % | ||
(400 - 780) nm: | ± 4 % | ||
(781 - 1030) nm: | ± 4.5 % | ||
(1031 - 1050) nm: | ± 5.5 % | ||
光谱辐照度响应度 (280 - 1050) nm。标准校准 (350 - 1050) nm。可选校准 (280 - 1050) nm。 | |||
积分时间 | 2μs - 60s *1 | 光谱范围 | (280 -1050) nm |
光带宽 | 2 nm | 像素分辨率 | ~0.4 nm/像素 |
像素数 | 2048 | 芯片 | 一级冷却高灵敏背照式CCD芯片 |
模数转换器 | 16bit | 峰值波长 | ± 0.2 nm |
主波长 | ± 0.5 nm *2 | Δy Δx 不确定度 | ± 0.0015(标准光源A) ± 0.0020(普通LED) |
重复性 Δx 和 Δy | ±0.0001 | 相关色温 | 标准光源A 30K; LED 高达 +/- 1.5 %,具体取决于 LED 光谱 |
带通校正 | 支持数学在线带通校正 | 线性度 | 完全线性化芯片>99.6% |
杂散光 | 2E-4 *3 | 基线噪声 | 5 cts *4 |
信噪比 | 5000*5 | 动态范围 | >10 震级 |
光谱辐照度响应范围 | (1E-6 - 1E5) W/(m²nm) *6*7 | CRI(显色指数) | Ra 和 R1 至 R15 |
典型测量时间 | 10 lx 2,5 s *10 100 lx 250 ms *10 1000 lx 25 ms *10 |
(4)一体式探测器 | |||
筛选 | 光谱响应度与精细的 CIE 光度匹配。通过光谱测量数据在线校正光度匹配(光谱失配因子校正)。 | ||
测量范围 | 九 (9) 个测量范围,具有卓越的偏移校正功能 | 校准 | 照度 ± 2.2 % |
测量范围 | 最大可测量照度值 3E8lx *7 噪声等效照度值 1E-1lx | f1'(光谱不匹配) | ≤ 6 %(未校正) ≤ 1.5 % (f1' a*(s z ( λ )) 分别通过光谱数据校正F*(s z ( λ )),由 BTS 技术自动完成) |
模数转换器 | 16bit |
(5)图表 | |||
光谱响应度 | |||
f2(方向响应/余弦误差) |
(6)其它规格 | |||
微处理器 | 32位用于设备控制,16位用于CCD阵列控制,8位用于光电二极管控制 | 接口 | USB V2.0、以太网(LAN UDP协议)、RS232、RS485 |
数据传输 | 标准为 2048 个浮点数组值,通过以太网 7ms,通过 USB 2.0 140 ms | 输入接口 | 2x (0 - 25) VDC,1x 光电耦合器隔离 5 V / 5 mA |
输出接口 | 最大 2x 集电极开路最大 25V 500毫安 | 扳机 | 合并触发输入(不同选项、上升/下降沿、延迟等) |
软件 | 用户软件 S-BTS2048; 可选软件开发套件 S-SDK-BTS2048,用于基于 C、C++、C# 或 LabView 中的 .dll 进行用户软件设置。 | 电源 | 带电源:直流输入 5V (±10 %) @ 700 mA 带 USB 总线 (500mA) *8 |
尺寸 | 103 mm x 107 mm x 52 mm(长×宽×高) | 重量 | 500克 |
安装 | 三脚架和 M6 螺纹 前适配器 UMPA-1.0-HL,与积分球端口框架 UMPF-1.0-HL 配合使用 | 温度范围 | 储存:(-10 至 50)℃ 操作:(10 至 30)°C *9 |
温度范围 | CCD Chip: ≤ ± 0.25 °C | ||
信息 | *1 建议每次改变积分时间时执行一次新的暗信号测量; *2 典型值,主波长的不确定性取决于 LED 的光谱分布; *3 典型值,在 LED 峰值左侧 100nm 处测量冷白色宽带 LED; *4 *5 典型值是在未对 4ms 测量时间和阵列的满量程控制进行平均的情况下测得的。平均导致 S/N 二次上升; 即基本噪声二次下降,例如平均到 100 倍,将 S/N 提高 10 倍; *6 最小 500/1 S/N。全量程控制下的最大值; *7 只允许短时间照射,以避免热损伤; *8 在 USB 连接期间,由于电流供应有限,并非所有功能都可用,例如没有以太网和 TEC 冷却; *9 需要设备将温度稳定在大约 100 ℃ 左右。 25分钟在预热阶段执行测量,或者如果在; 变化的温度下执行测量,则每次测量都需要暗信号测量; *10 次白色 LED 测量和 20000 计数(信号暗)饱和度。 |
选项(1):150mm 积分球 (UMBB-150) | ||||
光谱辐射通量响应度范围(光谱测量) | (5E-9 - 5E2) W/nm | 光通量测量范围(积分测量) | (3E-5 - 1E5) lm | |
球体直径 | 150 mm | 典型测量时间 | 20000 cts测量: 1 lm 80 ms 10 lm 8 ms 100 lm 800 μs 通过 5000 cts 和降噪优化测量时间: 10 lm 2 ms | |
校准 | 光通量:±4% 光谱辐射功率: | |||
(350 - 399) nm: | OD0: ± 8 % | OD1: ± 10 % | OD2: ± 10 % | |
(400 - 800) nm: | OD0: ± 4,5 % | OD1: ± 4,5 % | OD2: ± 4,5 % | |
(801 - 1000) nm: | OD0: ± 6,5 % | OD1: ± 6,5 % | OD2: ± 6,5 % | |
(1001 - 1050) nm: | OD0: ± 8 % | OD1: ± 10 % | OD2: ± 10 % | |
光谱辐射功率响应度 (350 - 1050) nm |
选项(2):210mm 积分球 (UMBB-210) | ||||
光谱辐射通量响应度范围(光谱测量) | (1E-8 - 1E3) W/nm | 光通量测量范围(积分测量) | (7E-5 - 2E5) lm | |
球体直径 | 210 mm | 典型测量时间 | 20000 cts测量: 1 lm 160 ms 10 lm 16 ms 100 lm 1600 μs 通过 5000 cts 和降噪优化测量时间: 10 lm 4 ms | |
校准 | 光通量:±4% 光谱辐射功率: | |||
(350 - 399) nm: | OD0: ± 8 % | OD1: ± 10 % | OD2: ± 10 % | |
(400 - 800) nm: | OD0: ± 4,5 % | OD1: ± 4,5 % | OD2: ± 4,5 % | |
(801 - 1000) nm: | OD0: ± 6,5 % | OD1: ± 6,5 % | OD2: ± 6,5 % | |
(1001 - 1050) nm: | OD0: ± 8 % | OD1: ± 10 % | OD2: ± 10 % | |
光谱辐射功率响应度 (350 - 1050) nm |
选项(3):1000mm 积分球 (UMTB-1000-HFT) | ||||
光谱辐射通量响应度范围(光谱测量) | (2E-7 - 2E4) W/nm | 光通量测量范围(积分测量) | (1E-3 - 4E6) lm | |
球体直径 | 1000 mm | 典型测量时间 | 20000 cts测量: 10 lm 450 ms 100 lm 45 ms 1000 lm 4,5 s 通过 5000 cts 和降噪优化测量时间: 10 lm 112 ms | |
校准 | 光通量:±4% 光谱辐射功率: | |||
(350 - 399) nm: | OD0: ± 8 % | OD1: ± 11 % | OD2: ± 11 % | |
(400 - 800) nm: | OD0: ± 4,5 % | OD1: ± 5 % | OD2: ± 5 % | |
(801 - 1000) nm: | OD0: ± 6,5 % | OD1: ± 7 % | OD2: ± 7 % | |
(1001 - 1050) nm: | OD0: ± 8 % | OD1: ± 11 % | OD2: ± 11 % | |
光谱辐射功率响应度 (350 - 1050) nm |
选项(4):测角仪 (GB-GD-360-RB40) | ||||
光谱辐射强度响应度范围 | (1E-6 - 1E5) W/(sr nm) ;以1m测量距离 | 发光强度测量范围(积分测量) | (1E-1 - 3E8) cd ;以1m测量距离 | |
校准 | 发光强度:±4% 光谱辐射强度: | |||
(350 - 399) nm: | OD0: ± 7 % | OD1: ± 8 % | OD2: ± 9 % | |
(400 - 800) nm: | OD0: ± 4 % | OD1: ± 4 % | OD2: ± 4 % | |
(801 - 1000) nm: | OD0: ± 6 % | OD1: ± 6 % | OD2: ± 6 % | |
(1001 - 1050) nm: | OD0: ± 7 % | OD1: ± 8 % | OD2: ± 9 % | |
光谱辐射强度响应度 (350 - 1050) nm |
选项(5):ILED-B (CP-ILED-B-IS-1.0-HL) | ||||
光谱辐射强度 (ILED-B) 响应度范围(光谱测量) | (5E-8 - 5E3) W/nm | 测量范围 ILED-B(积分测量) | (3E-4 - 1E6) cd | |
校准 | 发光强度 ILED-B:± 4 % 光谱辐射强度 ILED-B: | |||
(350 - 399) nm: | OD0: ± 7 % | OD1: ± 8 % | OD2: ± 9 % | |
(400 - 800) nm: | OD0: ± 4 % | OD1: ± 4 % | OD2: ± 4 % | |
(801 - 1000) nm: | OD0: ± 6 % | OD1: ± 6 % | OD2: ± 6 % | |
(1001 - 1050) nm: | OD0: ± 7 % | OD1: ± 8 % | OD2: ± 9 % | |
光谱辐射强度响应度 (350 - 1050) nm |
选项(6):SRT-60-1.0HL-L2-UV | ||||
辐射 | (5 - 6E9) cd/m²,适用于基于光谱响应度的典型白光 LED | |||
光谱辐射率 | (3E-4 - 3E8) W/(m²sr nm) |
型号 | 描述 | ||
ISD-100HF-BTS2048-VL | 2π 和 4π 光源光通量测量系统。 | ||
GB-GD-360-RB40-2-BTS2048-VL | 用于测量 2π 射灯和 LED 的发光强度分布的系统。 | ||
TPI21-TH | 用于测试 LED 和 LED 组件的测量系统。 | ||
ISD-15-BTS2048-VL | 用于 LED 测试和系统集成的紧凑型积分球光谱辐射计系统。 | ||
ISD-25-BTS2048-VL | 用于测量最大 76.2 毫米的单个 2π LED 灯的光通量和光色的系统。 | ||
BTS2048-VL-CP-ILED-B-IS-1.0-HL | CCD 传感器光谱辐射计,用于测量 CIE 127B 平均 LED 强度。特点: 测量适配器具有紧凑的积分球,可实现均匀的活动区域。用于 CW 和脉冲测量的高端 CCD 传感器光谱辐射计。 | ||
S-BTS2048 | BTS2048 变体的应用软件。 | ||
S-SDK-BTS2048 | BTS2048 变体的软件开发套件。 |
型号 | 描述 | ||
BTS2048-VL | 多功能、超快速度和高品质 LED 光谱仪。 | ||
BTS2048 Series | 紧凑型光谱辐射计具有出色的光学性能和 BiTec 技术,可用于实验室和现场使用的精确测量。 | ||
BTS2048-UVVISNIR | 深紫外到近红外高端光谱辐射计。 |